特許
J-GLOBAL ID：200903043789783582
面発光型半導体レーザ素子及び面発光型半導体レーザアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-259065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085788
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 素子の発熱や動作電圧の上昇が抑制された面発光型半導体レーザ素子及び面発光型半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】 半導体基板10上に下部反射鏡層構造11と上部反射鏡層構造15がこの順に形成され、各反射鏡層構造11、15の間には活性層12及び電流狭窄層14が介装され、上部反射鏡層構造15から下層に向って少なくとも電流狭窄層14の下端面に至るまでの領域は柱状のメサ20となっていて、メサ20の上端面20aの面積は、電流狭窄層14の近傍におけるメサ20の断面積より大きい。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に下部反射鏡層構造と上部反射鏡層構造がこの順に形成され、各反射鏡層構造の間には活性層及び電流狭窄層が介装され、前記上部反射鏡層構造から下層に向って少なくとも前記電流狭窄層の下端面に至るまでの領域は柱状のメサとなっていて、前記メサの上端面の面積は、前記電流狭窄層の近傍におけるメサの断面積より大きいことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子。
Fターム (12件)：
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA72
, 5F073AA84
, 5F073AB17
, 5F073BA02
, 5F073CA04
, 5F073CB20
, 5F073DA06
, 5F073DA25
, 5F073EA15
, 5F073EA23
