特許

J-GLOBAL ID：200903043793817149

窒化物半導体素子

発明者： 熊倉 一英 ,  牧本 俊樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-362127
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165719
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】良好なノーマリーオフを実現し、低消費電力、大電流、高耐圧、およびハイパワーで動作可能な窒化物半導体素子を提供すること。【解決手段】電子供給層であるAl0.3Ga0.7N15上に、Al0.3Ga0.7N15よりも大きな格子定数を有する、電子走行層であるGaN16が形成されている。Al0.3Ga0.7N15のGaN16側の表面は、III族面であるので、自発分極電界P自は、Al0.3Ga0.7N15側からGaN16側の方向である。上述のように、GaN16の格子定数はAl0.3Ga0.7N15の格子定数よりも大きいので、GaN16には圧縮応力がかかりGaN16層を歪ませることにより、Al0.3Ga0.7N15側からGaN16側へと向かうピエゾ分極電界が生じる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

第1の格子定数を有する第1の窒化物半導体層と、 第1の方向に自発分極電界が発生しており、前記第1の窒化物半導体層上に形成された第2の窒化物半導体層であって、前記第1の窒化物半導体層の格子定数とは異なる第2の格子定数を有する第2の窒化物半導体層とを備え、 前記第1の格子定数と前記第2の格子定数とが異なることにより、前記第2の窒化物半導体層に歪を誘起させて、前記第2の窒化物半導体層において、前記第1の方向とは異なる第2の方向にピエゾ分極電界を発生させ、 前記第2の方向は、前記自発分極電界と前記ピエゾ分極電界との差の絶対値を小さくする方向であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (25件)：

5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GS03 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15