特許

J-GLOBAL ID：200903043796508716

半導体プロセスガスの供給方法

発明者： 羽坂 智 ,  星 朝秋 ,  相田 智之 ,  河野 靖彦
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 木戸 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263093
公開番号（公開出願番号）：特開2002-071093
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 従来廃棄処分されていた残ガスを有効利用するとともに、合理的な消費量を算定できる半導体プロセスガスの供給方法を提供する。【解決手段】消費先からの返却容器への半導体プロセスガスの再充填を、増充填によって行なう。この増充填は、返却容器内の残ガス中の不純物濃度が、消費先から要求される許容濃度以下の場合、もしくは、返却容器内の残ガス中の不純物濃度が、消費先から要求される許容濃度を超える場合で、かつ増充填することによって前記許容濃度以下となることが予測されるときに行う。

請求項（抜粋）：

不純物濃度の許容上限が厳しく管理されなければならないガスを、消費先からの返却容器に再充填して供給する方法において、前記ガスが半導体プロセスガスであるときに、前記返却容器への再充填を、増充填によって行なうことを特徴とする半導体プロセスガスの供給方法。

IPC (3件)：

F17C 5/06 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

F17C 5/06 ,  C23C 16/44 E ,  H01L 21/205

Fターム (11件)：

3E072AA01 ,  3E072CA03 ,  3E072DA05 ,  4K030AA00 ,  4K030EA01 ,  4K030EA12 ,  4K030EA14 ,  5F045BB08 ,  5F045BB20 ,  5F045EG09 ,  5F045GB11