特許

J-GLOBAL ID：200903043805361162

反射鏡、半導体レーザ、反射鏡の形成方法および半導体レーザの製造方法

発明者： 金子 泰久
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-251556
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091701
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 特に、反射率を高くし低格子欠陥を少なくし、かつ反射鏡の全層数を少なくできる反射鏡形成技術、および半導体レーザの低閾値化、低製造コスト化、長寿命化を実現できる半導体レーザ製造技術を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザの反射鏡は、低屈折率の半導体層(AlN低屈折率層211)と、高屈折率の半導体層(GaN高屈折率層212)とが、交互に積層されてなる、全層数が4以上の、半導体レーザの反射鏡において、低屈折率の半導体層、高屈折率の半導体層の何れか一方が、低温成長により形成され、他方が高温成長により形成されたこと、または、低屈折率の半導体層が低温成長により形成され、高屈折率の半導体層のうち一部の層が高温成長により形成され、残りの層が低温成長により形成されたこと、を特徴とする。

請求項（抜粋）：

低屈折率の半導体層と、高屈折率の半導体層とが、交互に積層されてなる、全層数が4以上の、半導体レーザの反射鏡において、低屈折率の半導体層、高屈折率の半導体層の何れか一方が、低温成長により形成され、他方が高温成長により形成されたこと、または、低屈折率の半導体層が低温成長により形成され、高屈折率の半導体層のうち一部の層が高温成長により形成され、残りの層が低温成長により形成されたこと、を特徴とする半導体レーザの反射鏡。

Fターム (8件)：

5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA14 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28