特許
J-GLOBAL ID:200903043816657454

水溶性材料、化学増幅型レジスト及びそれらを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-425071
公開番号(公開出願番号):特開2005-181850
出願日: 2003年12月22日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】 現像時に表面難溶化層を生じない、良好な形状を有する微細化パターンを得られるようにする。 【解決手段】 レジスト膜102の上に、水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含む水溶性膜103を成膜する。続いて、NAが0.68であるKrFエキシマレーザよりなり、マスク104を透過した露光光105を水溶性膜103を介してレジスト膜102に照射してパターン露光を行なう。その後、パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して、ホットプレートにより105°Cの温度下で60秒間ベークする。続いて、水により水溶性膜103を除去した後、ベークされたレジスト膜102に対して現像を行なって、レジスト膜102の未露光部よりなる良好な形状を有するレジストパターン102aを得る。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
化学増幅型のレジスト膜の上に成膜する水溶性膜を形成するための水溶性材料であって、 水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含むことを特徴とする水溶性材料。
IPC (5件):
G03F7/11 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027
FI (6件):
G03F7/11 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 565
Fターム (16件):
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA17 ,  5F046JA22
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許第3343219号公報
審査官引用 (9件)
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