特許

J-GLOBAL ID：200903043819440340

半導体レーザ装置

発明者： 小寺 基之 ,  西山 景夫 ,  野沢 卓司 ,  香川 仁志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066497
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 裏面側に照射されるレーザ光線10が、パッケージ30の裏面30bで反射してレーザダイオード5に戻るのを防ぐとともに、APC駆動のためのフォトダイオード16でのレーザ光線の検出能力を向上する。【構成】 ヒートシンク3aの上面のうち裏面に近い側に、フォトダイオード16を設ける。また、レーザダイオード5から照射されたレーザ光線10を反射する裏面30bに凹面鏡31を設ける。そして、凹面鏡31の角度及び曲率は、レーザ光線10が凹面鏡31で反射された反射光32がフォトダイオード16に効率よく集光するように設定する。【効果】 裏面側に照射されるレーザ光線10の反射光によるレーザ光線9の劣化を防ぐことができる。また、フォトダイオード16に反射光32を集光することでレーザダイオード5の出力状態の検出が容易になる。

請求項（抜粋）：

前面側と裏面側の2方向にレーザ光線を照射する半導体レーザと、前記レーザ光線を透過する物質を用いて前記半導体レーザを包含するように形成され、前記裏面側のレーザ光線が当たる面に該レーザ光線を吸収する無反射手段を有する透明モールドパッケージとを備える、半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-011390
  
• 特開昭62-130585
  
• 特開平2-159084
  
• 特開昭62-296593