特許

J-GLOBAL ID：200903043823641253

半導体装置

発明者： 前田 貴雄 ,  下田 浩平 ,  白石 順一 ,  ▲廣▼瀬 義幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鎌田 文二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-175254
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021628
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 高熱放散性を得る目的でパッケージに窒化アルミニウム(AlN)を用い、そのAlNでアウターリード間を絶縁する場合の絶縁抵抗の環境劣化を抑制する。【構成】 アウターリード2間に位置して外部に面しているパッケージ1のAlN面上にYAG薄膜層5を設ける。YAGは化学的、電気的に安定しており、環境劣化を生じ難い。このYAGの薄膜層5がAlN面を覆ってAlN面の大気中水分との反応を防止するので表面に体積抵抗の低い経路ができる心配がなく、アウターリード間の安定した絶縁性が保たれてリード間リーク電流によるミススイッチングが防止される。

請求項（抜粋）：

アウターリード間がパッケージの窒化アルミニウムによって絶縁される半導体装置であって、アウターリード間に位置して外部に面している窒化アルミニウム層の表面にYAG(イットリウム アルミニウム ガーネット)の薄膜層を有していることを特徴とする半導体装置。