特許

J-GLOBAL ID：200903043825242348

リフレッシュ機能を有するメモリ

発明者： 原田 義久
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-365818
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184872
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】 リフレッシュ機能を有するメモリを提供する。【解決手段】 リフレッシュの対象となるメモリセルからデータを読み出し、一時記憶するリフレッシュ用データ記憶部にデータを記憶し、その後、リフレッシュ対象メモリセルのデータを消去する。メモリセルの内容を読み出し、内容が消去されたことを確認し、その後一時記憶したリフレッシュ用データ記憶部からリフレッシュデータを読み出し、メモリセルに再書き込みを行う。この時、所定の回数以上書き込みを行っても、メモリ出力がリフレッシュデータと一致しない場合には対象メモリセルを異常セルと判定し、冗長メモリセル部を代わりのメモリセル部としてデータを書き込み、不良メモリセル部へのアクセスには冗長メモリセル部を使用する。

請求項（抜粋）：

メモリセル部とリフレッシュのためにメモリ内容を一時的に記憶するリフレッシュ用データ記憶部と冗長メモリセル部とリフレッシュ制御回路部を有するメモリであって、前記リフレッシュ制御回路部はリフレッシュ時にリフレッシュ対象メモリセル部の内容をリフレッシュ用データ記憶部へ書き込み、前記リフレッシュ対象メモリセル部の内容を消去し、さらに前記リフレッシュ用データ記憶部に一時的に書き込んだ内容を元のメモリセル部に書き込む制御を行ない、書き込み内容が前記リフレッシュ用データ記憶部に一時的に書き込んだ内容と異なる場合には複数回書き込み制御を行ない、それでも内容が異なる場合に、前記冗長メモリセル部を代りのメモリセルとし、内容を書き込み、不良セルへのアクセス時に前記冗長メモリセル部にアクセスが行われるようにするためのアドレス変換処理部を有することを特徴とするリフレッシュ機能を有するメモリ。

Fターム (10件)：

5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AD13 ,  5B025AE04 ,  5B025AE08