特許

J-GLOBAL ID：200903043827400218

半導体デバイスのウェ-ハからのへき開方法

発明者： ポール・チャールズ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192047
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068240
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】へき開を容易にするための半導体製造フ ゚ロセス、及びこうしたフ ゚ロセスによるテ ゙ハ ゙イスを提供すること。【解決手段】本発明は、半導体ウェーハ(100)からのテ ゙ハ ゙イス(200)のへき開を容易にするため半導体ウェーハ(100)、とりわけ化合物半導体ウェーハにエッチンク ゙を施す方法、及びこうした方法によってへき開されるテ ゙ハ ゙イスに関するものである。半導体テ ゙ハ ゙イス(200)は、基板(106)と基板(106)上に成長された1つ以上の層(108,110,112,116,122)を含むウェーハ(100)からへき開され、へき開部(150,151,153,154)によってテ ゙ハ ゙イス(200)の2対の平行なエッシ ゙(201,202;203,204)が形成されている。へき開部のそれぞれは、成長層(108,110,112,116,122)を貫通して基板(106)に部分的に食い込むエッチンク ゙で形成されたク ゙ルーフ ゙(163,164;166,266)によって誘導されている。

請求項（抜粋）：

基板(106)と、前記基板(106)上に成長した1つ以上の層(108、110、112、116、122)を含むウェーハ(100)からへき開される半導体デバイス(200)であって、へき開部(150、151、153、154)によって、前記半導体デバイス(200)の2対の平行エッジ(201、202;203、204)が形成されており、前記へき開部のそれぞれが、前記成長層(108、110、112、116、122)を貫通し、部分的に前記基板(106)に食い込むエッチングで形成されたグルーブ(163、164;166、266)によって、誘導されたことを特徴とする、半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/78 S ,  H01L 21/306 A ,  H01L 21/78 U