特許
J-GLOBAL ID：200903043830169926
メモリー素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028748
公開番号（公開出願番号）：特開平6-243673
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 人工格子磁気抵抗効果膜を用いて高性能の磁性薄膜メモリ-を可能とする。【構成】 磁性膜部Mと情報記録用磁界発生用電流線部R,R'、及びNi-Fe-Co系の金属磁性薄膜層とCu等の金属非磁性薄膜層とを積層した構造からなる人工格子磁気抵抗膜より成る情報読みだし部Sから構成されることを特徴とするメモリ-素子。【効果】 室温で動作可能な高性能磁性薄膜メモリ-を可能とする。
請求項（抜粋）：
パタ-ニングされた磁性膜部Mと、Mとは絶縁されかつMの近傍に設けられた情報読みだしのための人工格子磁気抵抗効果膜より成る電流線部S、及びこれらと絶縁され電流を上記Rと同じ方向に及びこれと直交する方向に流し上記Mに磁界を印加して情報を記録するために設けられた2種類の電流線部R、R'より成り、かつ上記人工格子磁気抵抗効果膜部Sは厚さ5〜50Åの金属磁性層[1]と厚さ5〜50Åの金属非磁性層[2]を交互に積層した構造となっていることを特徴とするメモリ-素子。
引用特許：
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