特許

J-GLOBAL ID：200903043831183108

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 犬宮 誠治 ,  小澤 良夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330762
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173179
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 金属又は金属シリサイドをゲート電極材料の一部に用いる際の、異常酸化を防止し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板上にゲート絶縁膜を介して第1のシリコン膜を形成する工程と、前記第1のシリコン膜上に金属膜又は金属シリサイド膜を形成する工程と、前記金属膜又は金属シリサイド膜及び前記第1のシリコン膜を加工してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の表面に第2のシリコン膜を形成する工程と、前記ゲート電極下端部の曲率を大きくするか、または前記ゲート電極下端部下のゲート絶縁膜の膜厚を増加させ、かつゲート絶縁膜の欠陥を回復するための熱処理を施す工程とを具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して第1のシリコン膜を形成する工程と、前記第1のシリコン膜上に金属膜又は金属シリサイド膜を形成する工程と、前記金属膜又は金属シリサイド膜及び前記第1のシリコン膜を加工してゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の表面に第2のシリコン膜を形成する工程と、前記ゲート電極下端部の曲率を大きくするか、または前記ゲート電極下端部下のゲート絶縁膜の膜厚を増加させ、かつゲート絶縁膜の欠陥を回復するための熱処理を施す工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 D