特許

J-GLOBAL ID：200903043831714707

半導体装置及びその製造方法

発明者： 畑 明宏 ,  船井 尚 ,  足立 昌浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074135
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274339
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 ゲート絶縁膜の一部に電界が集中することを防止し、TFTの特性劣化を防ぐとともにオフ電流の低減を可能とする。【構成】 半導体島101のエッジ部付近のゲート絶縁膜102の厚さを半導体島101の上方のそれよりも厚くする。これにより、オフ電流の増大やTFT特性の劣化の原因である電界の集中を回避し、良好な特性を有するTFTの作製が可能となる。

請求項（抜粋）：

絶縁性表面を有する基板上又は表面に絶縁膜を有する基板上に、ゲート絶縁膜を挟んで結晶性を有する半導体島とゲート電極とを有する薄膜トランジスタが設けられた半導体装置において、該半導体島と該ゲート電極との間の距離が、該半導体島の中央部より該半導体島の周辺部で長い半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 617 U ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-065274
  
• 特開平3-038879
  
• 特開平3-089324
  
• 特開平2-067757