特許
J-GLOBAL ID:200903043832558539

半導体超微粒子反応試剤

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-198094
公開番号(公開出願番号):特開平10-226779
出願日: 1997年07月24日
公開日(公表日): 1998年08月25日
要約:
【要約】【課題】 半導体超微粒子表面を修飾することにより、重縮合反応や重付加反応に用いることが可能な半導体超微粒子を提供する。【解決手段】 アミノ基を有するチオール化合物、水酸基を有するチオール化合物またはカルボキシル基を有するチオール化合物で修飾された半導体超微粒子;上記の半導体超微粒子を重縮合反応、重付加反応に用いることよって得られた半導体超微粒子架橋材料及びその成型体。【効果】 単に粒径が制御された半導体超微粒子ではなく、半導体超微粒子そのもの自体が反応性を有する半導体超微粒子反応試剤を提供できる。
請求項(抜粋):
アミノ基を有するチオール化合物、水酸基を有するチオール化合物またはカルボキシル基を有するチオール化合物で修飾された半導体超微粒子。
IPC (5件):
C09K 3/00 ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  B01J 35/02 ,  G02F 1/01
FI (6件):
C09K 3/00 C ,  C09K 3/00 A ,  C01G 9/08 ,  C01G 11/02 ,  B01J 35/02 J ,  G02F 1/01 A
引用特許:
審査官引用 (2件)
引用文献:
審査官引用 (2件)
  • 日本化学会講演予稿集, 19920911, vol.64/no.2, p940
  • Electrode Processes 6, 1996, p315-321

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