特許

J-GLOBAL ID：200903043848227389

磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： 小田川 明弘 ,  松川 望 ,  杉田 康成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-166285
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014806
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】エネルギー変換効率に優れた実用的な磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】層の面内方向に互いに離間して配置された第1強磁性層1および第2強磁性層2と、これら強磁性層を電気的に接続する伝導層3と、強磁性と常磁性または反強磁性との間を転移可能であり、強磁性の状態で第1強磁性層1と磁気的に結合するように配置された磁性転移層5とを含む磁気抵抗素子とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

層の面内方向に互いに離間して配置された第1強磁性層および第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層とを電気的に接続する伝導層と、強磁性と常磁性または反強磁性との間を転移可能であり、前記強磁性の状態で前記第1強磁性層と磁気的に結合するように配置された磁性転移層とを含む磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 S ,  G11C11/15 110 ,  H01L27/10 447

Fターム (11件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA45 ,  5F083PR04 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40