特許
J-GLOBAL ID：200903043849574635
半導体メモリ装置の製造方法及び半導体メモリ装置並びにそれを用いた応用システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051535
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263572
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】本発明は、半導体メモリ装置のコンデンサを微細化して、小型かつ大容量の半導体メモリ装置を提供することを目的とする。【構成】Tiをコンデンサの下部電極として金属Ti薄膜を形成し、その後、プラズマ酸化により、ルチル構造を有するTiO2絶縁膜を形成する。【効果】ルチル構造を有するTiO2 絶縁膜は、高誘電率を有し、かつ熱力学的及び化学的に安定なので、コンデンサを微細化できかつ歩留まりも向上する。
請求項（抜粋）：
半導体メモリ装置の製造方法であって、金属チタンを含む電極を、半導体基板に形成する工程と、この電極をプラズマ酸化することにより、電極の表面に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の表面に他の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 325 J
, H01L 27/04 C
