特許
J-GLOBAL ID：200903043849650587
半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1996002663
公開番号（公開出願番号）：WO1997-011518
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1997年03月27日
要約：
【要約】基板上(1;1,2,3)に一部窓明けすることにより基板を露出させた非晶室構造を有する絶縁体(4)を形成する。窓明けにより露出した基板上(40)と絶縁体上(4)に、構成元素として少なくとも窒素を含む化合物半導体(5,51,52)を積層して半導体材料(1,5,51,52)を形成する。半導体材料又は半導体材料上に更に半導体材料を積層した半導体材料(6,7)を加工して半導体装置を形成する。
請求項（抜粋）：
構成元素として少なくとも窒素を含む化合物半導体の結晶からなる第1の領域と非晶質構造の絶縁体からなる第2の領域を有し、上記第1の領域の少なくとも一部は上記第2の領域上に成長されていることを特徴とする半導体材料。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, C30B 23/02
