特許

J-GLOBAL ID：200903043850356064

強磁性トンネル効果素子並びにこれを用いた磁気ヘッド及び磁気センサ

発明者： 三塚 勉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-013888
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208218
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 下部強磁性体層と非磁性体層との反応を防ぐことによってトンネルバリア層でのピンホールの発生を抑制し、これにより大きな磁気抵抗変化率を実現する。【解決手段】 本発明の強磁性トンネル効果素子10は、基板50上に下部強磁性体層52が形成され、下部強磁性体層52上にトンネルバリア層54を含む非磁性体層56が形成され、非磁性体層56上に上部強磁性体層58が形成されてなるものである。そして、非磁性体層56と下部強磁性体層52との間に、非磁性体層56及び下部強磁性体層52のどちらとも合金を形成しない不活性金属層12を介挿させたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に下部強磁性体層が形成され、この下部強磁性体層上にトンネルバリア層を含む非磁性体層が形成され、この非磁性体層上に上部強磁性体層が形成されてなる強磁性トンネル効果素子において、前記非磁性体層と前記下部強磁性体層との間に、前記非磁性体層及び前記下部強磁性体層のどちらとも合金を形成しない不活性金属層を介挿させたことを特徴とする強磁性トンネル効果素子。