特許
J-GLOBAL ID:200903043860080652
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-081171
公開番号(公開出願番号):特開平9-275170
出願日: 1996年04月03日
公開日(公表日): 1997年10月21日
要約:
【要約】【課題】従来の半導体装置と比べて半導体チップ-ヒートシンク間の熱抵抗を低めて放熱性を高め、製品の信頼性向上を図る。【解決手段】半導体チップ4を搭載したセラミックス基板2と、該セラミックス基板に装着した外囲樹脂ケース7と、樹脂ケースより引出した外部導出端子5と、ヒートシンクとしての冷却体11との組立体からなり、セラミックス基板を半田などの金属接合材14,もしくは有機系耐熱接着剤により冷却体の端面に接合して半導体チップ-冷却体間の放熱経路の熱抵抗を低く抑える。さらに、冷却体の端面には多数条のスリット状溝11aを形成することにより、接合材の層内に熱抵抗増加の原因となるボイドが発生するのを抑え、併せて接合材に働く応力を分散して接合部の剥離,セラミックス基板のクラック,割れを防止する。
請求項(抜粋):
半導体チップを搭載したセラミックス基板と、該セラミックス基板に装着した外囲樹脂ケースと、一端をセラミックス基板に接続して樹脂ケースより引出した外部導出端子と、ヒートシンクとしての冷却体とからなり、前記セラミックス基板を冷却体の端面に接合したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/373
, H02M 3/00
, H02M 7/04
FI (3件):
H01L 23/36 M
, H02M 3/00 Y
, H02M 7/04 C
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