特許

J-GLOBAL ID：200903043862503674

半導体薄膜の形成方法

発明者： 木下 敏宏 ,  磯村 雅夫 ,  菱川 善博
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-059495
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273041
出願日： 1994年03月29日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 CVD法により基板上に半導体薄膜を形成する方法において、半導体薄膜表面にダメージを与えることなく、膜全体において均一に欠陥の少ない半導体薄膜を形成する。【構成】 水素ガスをフィラメント6a,6bで熱解離し生成した原子状水素を、水素供給管5a,5bにより基板4上に供給しながら、基板4上に半導体薄膜を形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

CVD法によりチャンバー内の基板上に半導体薄膜を形成する方法において、前記基板上に原子状水素を供給しながら前記半導体薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-131511
  
• 特開昭61-247018
  
• 特開平1-234314
  
• 特開昭62-213118