特許
J-GLOBAL ID：200903043863999282
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-004518
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211982
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 不純物の拡散工程を行わずに、P型InGaAsP層と非アロイ型金属電極との間にオーミックコンタクトを形成し、信頼性が高く、かつ歩留りが高い半導体発光装置を提供する。【構成】 バンドギャップ波長が1.5〜1.55μm組成で不純物濃度が4×1018cm-3から6×1018cm-3のP型InGaAsPコンタクト層33の表面にSi3 N4 膜34を形成した後、その一部をエッチングしコンタクト窓35を形成する。次に、非アロイ型金属電極としてTi層36とPt層37とAu層38を蒸着により順次積層し、水素雰囲気中にて熱処理を行いオーミックコンタクトを形成する。これにより、P型不純物であるZnの拡散によるP型InGaAsPコンタクト層33への格子欠陥の導入と活性層を含むダブルへテロ層32内のZnの移動によるPN接合の位置変化を防ぐことができ、素子の信頼性と製造歩留まりが向上した。
請求項（抜粋）：
P型InGaAsP層の表面に非アロイ型金属電極を備えた半導体発光装置であって、前記P型InGaAsP層のバンドギャップ波長を1.5μmから1.55μmの組成にするとともに、前記P型InGaAsP層の不純物濃度を4×1018cm-3から6×1018cm-3にしたことを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
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