特許

J-GLOBAL ID：200903043880672009

半導体装置

発明者： 竹橋 信逸 ,  畑田 賢造
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191107
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045665
出願日： 1993年08月02日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップの突起電極と相対した接続電極を配置した回路基板上に前記半導体チップと回路基板の主面を対向させ、両者の電極を互い接続する半導体装置において、温度変化による半導体チップと回路基板の熱膨張係数の違いで生じる接合電極への応力集中を緩和させ接合電極間の破断、断線を回避し、半導体装置の信頼性を著しく向上させる。【構成】 半導体チップ1の突起電極3が接合される回路基板4の接続電極5の層の下にそれより弾性率の低い材料による層(低弾性樹脂層7)を設けることにより、温度変化による半導体チップ1と回路基板4の両者の熱膨張係数の相違で生じる応力で回路基板4の接続電極層5より低弾性樹脂層7が応力方向に沿って変位し、電極接合部へ応力集中を緩和力を緩和する構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体チップの突起電極と相対した接続電極を配置した回路基板上に前記半導体チップと回路基板の主面を対向させ、両者の電極を互い接続する半導体装置において、前記半導体チップの電極と接合する回路基板の接続電極の下層に前記回路基板の接続電極より低弾性な層が設けられたことを特徴とする半導体装置。