特許
J-GLOBAL ID:200903043882130971

シュミット回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川▲崎▼ 研二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-367936
公開番号(公開出願番号):特開2005-136515
出願日: 2003年10月28日
公開日(公表日): 2005年05月26日
要約:
【課題】 ヒステリシス幅がトランジスタのしきい値電圧特性に依存しないようにする。【解決手段】 トランジスタp1〜p3、n1〜n3のうち、トランジスタn2のゲートには、入力信号電圧Vinをトランジスタp12のしきい値電圧だけ高位側にシフトさせた電圧を供給する。ここで、トランジスタn2、p12のしきい値電圧が同一となるように設計すると、トランジスタn2には、自己のしきい値電圧分だけ入力信号Vinをレベルシフトした電圧が供給される。同様に、トランジスタp2のゲートには、入力信号電圧Vinをトランジスタn12のしきい値電圧だけ低位側にシフトさせた電圧を供給する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ゲートが入力端子に接続され、ドレインが出力端子に接続された第1のトランジスタと、 ソースが2つの電源供給線のうちの一方に接続され、ドレインが前記第1のトランジスタのソースに接続された第2のトランジスタと、 ゲートが前記出力端子に接続され、ドレインが2つの電源供給線の他方に接続され、ソースが前記第1のトランジスタのソースおよび前記第2のトランジスタのドレインに接続された第3のトランジスタと、 前記入力端子に供給される入力信号を前記第2のトランジスタの略しきい値電圧分だけレベルシフトして、前記第2のトランジスタのゲートに供給するレベルシフタと を具備することを特徴とするシュミット回路。
IPC (1件):
H03K3/353
FI (1件):
H03K3/353 A
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特公昭59-1005号公報(第2〜第4頁、第1図)
審査官引用 (3件)
  • 特公昭59-001005
  • CMOSシュミットトリガ
    公報種別:公表公報   出願番号:特願平8-516126   出願人:アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
  • 特開昭61-234122
引用文献:
審査官引用 (1件)

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