特許
J-GLOBAL ID：200903043883148769
横型高耐圧半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-228525
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086564
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】小素子面積で高出力が得られる自己ターンオフ可能な横型高耐圧半導体素子を提供すること。【構成】N- 型ベース層1の表面に選択的に形成されたN+ 型エミッタ層2と、Nこの- 型ベース層1に形成されたN型半導体層11の表面に選択的に形成されたP+ 型エミッタ層4と、N+ 型エミッタ層2の側面を取り囲むようにN- 型ベース層1に形成されたP型ベース層3とを備え、このP型ベース層3が、N+ 型エミッタ層2の側面に開口部12を有し、これにより、N+ 型エミッタ層2,N- 型ベース層1,P+ 型エミッタ層4とからなるダイオードを形成していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の第1導電型半導体層の表面に選択的に形成された第2の第1導電型半導体層と、前記第1の第1導電型半導体層の表面に選択的に形成された第1の第2導電型半導体層と、前記第2の第1導電型半導体層を取り囲むように前記第1の第1導電型半導体層に形成された第2の第2導電型半導体層と、前記第1の第2導電型半導体層に接続する第1の電極と、前記第2の第1導電型半導体層に接続する第2の電極と、を具備してなり、前記第2の第2導電型半導体層には開口部が形成され、この開口部を介して前記第1および第2の第1導電型半導体層が接続していることを特徴とする横型高耐圧半導体素子。
FI (2件)：
H01L 29/74 M
, H01L 29/74 G
