特許
J-GLOBAL ID：200903043883215490
フォトセル用MOS型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191622
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049322
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上にゲート電極と、ドレイン電極と、光電性光源領域とが形成され、ゲート電極と基板の間に酸化層が配置され、酸化層はMOS型トランジスタの活性領域で薄い酸化層として形成され、かつMOS型トランジスタの不活性領域で厚い酸化層として形成されているフォトセル用MOS型トランジスタにおいて、フォトセルをさらにミニチュア化させ、しかもフォトセルの指数関数的な特性曲線を生じさせることができるフォトセル用MOS型トランジスタを提供する。【解決手段】 ゲート電極がMOS型トランジスタの活性領域に閉じたリング状部分を有し、ドレイン電極または光電性光源領域のいずれか一方をゲート電極のリング状部分の内側に配置することにより、ゲート電極により制御される電流の流れを活性領域だけに限定したことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板(2)上にゲート電極(3)と、ドレイン電極(12)と、光電性光源領域(13)とが形成され、前記ゲート電極(3)と半導体基板(2)の間に酸化層(4)が配設され、該酸化層(4)がMOS型トランジスタ(1)の活性領域(6)で薄い酸化層(4a)として形成され、かつMOS型トランジスタ(1)の不活性領域(7)で厚い酸化層(4b)として形成されているフォトセル用MOS型トランジスタにおいて、前記ゲート電極(3)がMOS型トランジスタ(1)の活性領域(6)に閉じたリング状部分(8)を有し、かつ前記ドレイン電極(12)または光電性光源領域(13)のいずれか一方を前記ゲート電極(3)のリング状部分(8)の内側に配置することによって前記ゲート電極により制御される電流の流れを活性領域(6)だけに限定したことを特徴とするフォトセル用MOS型トランジスタ。
引用特許：
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