特許
J-GLOBAL ID：200903043885310644

記憶素子、記憶装置および発光素子

発明者：
原田 真臣

原田 真臣 について

, 
柴田 晃秀

柴田 晃秀 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  仲倉 幸典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-031818
公開番号（公開出願番号）：特開2006-221688
出願日： 2005年02月08日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
【課題】 製造が容易で信頼性が高く、かつ、トンネル絶縁膜を必要としない記憶素子、記憶装置、および、発光素子を提供すること。【解決手段】 この記憶素子は、導電性を有するリング13と、磁性体10と、第1の配線14と、第2の配線15とを備える。上記磁性体10は、リング13の貫通穴に挿通されている。第1の配線14は、リング13の外周面の第1部分から延び、第2の配線15は、上記外周面上における第2部分から延びている。この記憶素子は、第2の配線15から第1の配線14に電子を移動させた場合において、第1の配線14に流れる電流の電流値を検出することによって、磁性体10に書き込まれた記憶情報を読み取るようになっている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性を有するリングと、 上記リングに囲まれた空間を貫くと共に、向きと大きさの内の少なくとも一方が変化する磁場を生成する磁性体と、 上記リングの表面の第1部分から延びる第1の配線と、 上記リングの表面の第2部分から延びる第2の配線と を備えることを特徴とする記憶素子。
IPC (5件)：
G11C 11/02 ,  H01L 33/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/80
FI (4件)：
G11C11/02 A ,  H01L33/00 A ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/80 A
Fターム (7件)：
5F041CA02 ,  5F041CB36 ,  5F083FZ10 ,  5F102FA00 ,  5F102FB10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
  • 電子波干渉素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-365080   出願人：科学技術振興事業団, 日本電信電話株式会社

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