特許
J-GLOBAL ID：200903043897701703
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209268
公開番号（公開出願番号）：特開平5-054656
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 データの90度単位の回転処理が可能な半導体記憶装置において、半導体装置のメモリアレイへの書き込み動作と読み出し動作を非同期で行うことを目的とする。【構成】 メモリセル1には書き込み用の第1のライトワード線2と第1のライトビット線4が接続し、これらの線と直交する書き込み用の第2のライトワード線3と第2のライトビット線5が接続している。更に、メモリセル1には読み出し用のリードワード線10とリードビット線11が接続している。データの90度単位の回転処理は、書き込み時に書き込み用のライトワード線とライトビット線により行い、読み出しは書き込みとは独立して、読み出し用のリードワード線10とリードビット線11により行う。【効果】 半導体装置のメモリアレイへの書き込み動作と読み出し動作を非同期で行うことができ、データの高速処理が可能となる。
請求項（抜粋）：
メモリアレイと、前記メモリアレイを構成するメモリセルに接続した書き込み用ワード線及びビット線と、前記メモリアレイを構成するメモリセルに接続した読み出し用ワード線及びビット線とを備え、前記書き込み用ワード線とビット線もしくは前記読み出し用ワード線とビット線のどちらか一方の組は互いに直交する2本のワード線と互いに直交する2本のビット線からなり、前記書き込み用ワード線及びビット線と前記読み出し用ワード線及びビット線により独立に書き込みと読み出しを行ってデータの90度単位の回転処理をすることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 K
, H01L 27/10 325 V
