特許

J-GLOBAL ID：200903043898409887

不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 後藤 寛 ,  竹内 信善 ,  森岡 誠
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-175078
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046064
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 一層のポリシリコン層で大きな面積のフローティングゲートを有する不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【構成】 ソース/ドレイン拡散領域をチャネルに対して自己整合的に形成し、ドレイン領域17、及びソース領域18、または、ドレイン領域17を覆うゲート酸化膜19に容量性絶縁膜14で覆われたフローティング(浮遊)ゲート15が接し、且つ浮遊(コントロール)ゲート(ワード線)13によって自己整合的に形成され、フローティングゲート15がチャネル領域からソース/ドレイン領域、或いは、更には素子分離用絶縁膜上まで延在するように配置され、層間絶縁層12を介してアルミ配線(主ビット線)形成されており、このような製造工程によりメモリトランジスタM1,M2......がシリコン基板10に形成され、フローティングゲート・コントロールゲート間容量を大きく設定する。

請求項（抜粋）：

電気的に書込み、消去可能な不揮発性半導体メモリ装置において、メモリトランジスタのビット線となるドレイン領域とソース領域がゲート絶縁膜と結合した絶縁膜下のシリコン基板表面を含む該基板表面近傍に形成されたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434