特許

J-GLOBAL ID：200903043900253296

ローデッドライン形半導体移相器

発明者： 青木 浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080700
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296101
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体スイッチング素子をオン、オフと切換えることによって透過位相を制御するローデッドライン形半導体移相器において、小さい移相量の移相器を容易に得ることを目的とする。【構成】 誘電体基板の裏面を地導体とし、表面にマイクロストリップ線路で構成される主線路に装荷線路を並列に接続し、その装荷線路の一部を結合線路としてその先端をPINダイオード等の半導体スイッチング素子に接続する。PINダイオードのもう一端は接地用線路を介して金リボン等でマイクロ波的に接地する。

請求項（抜粋）：

誘電体基板と、この誘電体基板の一方面に施される地導体と、この誘電体基板の他方面にマイクロストリップ線路として構成される主線路と、この主線路に並列に接続される1本あるいは複数本の装荷線路と、上記装荷線路の先端に直列に接続されるPINダイオード等の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のもう一端をマイクロ波的に接地する手段、および半導体スイッチング素子に直流バイアスを印加する手段を具備するローデッドライン形半導体移相器において、装荷線路の一部を中心周波数の約4分の1波長の長さの結合線路で構成することを特徴とするローデッドライン形半導体移相器。