特許
J-GLOBAL ID：200903043901393148
多孔質シリコンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-033095
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234983
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 多孔質シリコンの製造方法に関し、とりわけシリコン基板上の微小な領域を制御性よく多孔質化できる製造方法を提供する。【構成】 結晶質シリコンからなるシリコン基板3を陽極とし、先端曲率半径が0.1μm以下の導伝性探針である白金探針2を陰極として前記シリコン表面に接近させ、5〜48重量%のフッ化水素酸を含む溶液中で電気分解することにより、所望の微小な領域に微細孔を形成する。
請求項（抜粋）：
結晶質シリコンを陽極とし、先端が鋭く尖った導電性探針を陰極として前記シリコン表面に接近させ、フッ化水素酸を含む溶液中で電気分解することにより、所望の微小な領域に細孔を形成することを特徴とする多孔質シリコンの製造方法。
引用特許：
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