炭化珪素半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 鈴木亨 , 八本佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-020605
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201343
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】ある程度の膜厚をもつ絶縁膜を成膜する場合であっても、SiO2/SiC界面に残留するカーボンクラスターを効率的に除去または不活性化できる炭化珪素半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁膜を形成する工程において、O2および/またはH2Oを含有する酸化性ガスの雰囲気下で炭化珪素エピタキシャル膜が成膜された基板を熱処理することにより該基板の表面において熱酸化膜の膜厚を増加させた後、NO、N2OまたはNO2を含有するガスの雰囲気下で該基板を熱処理してSiO2/SiC界面にあるカーボンクラスターを除去等する工程を、複数回繰り返すようにした。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素エピタキシャル膜が形成された基板を熱酸化することにより、該炭化珪素エピタキシャル膜の表面に二酸化珪素の絶縁膜を形成する工程を含む炭化珪素半導体素子の製造方法であって、前記絶縁膜を形成する工程において、O2および/またはH2Oを含有する酸化性ガスの雰囲気下で前記基板を熱処理することにより前記炭化珪素エピタキシャル膜の表面において熱酸化膜の膜厚を増加させた後、NO、N2OまたはNO2を含有するガスの雰囲気下で該基板を熱処理する工程を、複数回繰り返すことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/316 S , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L21/316 P

Fターム (30件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BH03 , 5F058BJ01 , 5F140AA00 , 5F140AA05 , 5F140AA30 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140AC40 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BB02 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BH21 , 5F140CC03 , 5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-344345 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-351138 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

炭化けい素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-082087 出願人：富士電機株式会社

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