特許

J-GLOBAL ID：200903043907027879

裏面研削方法および裏面研削装置

発明者： 石井 洋三
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359895
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164312
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の裏面研削に際して、半導体基板の割れを招き易い研削刃の目詰りを容易に除去することができ、かつ生産性を向上させる裏面研削方法および裏面研削装置を提供すること。【解決手段】 砒化ガリウム基板Wcを第1回転テーブル12にセットして研削回転体16の研削刃14で裏面研削し、研削刃14の目詰りが基板割れを招かない150枚を裏面研削した後に、研削回転体16を第2回転テーブル22へ移動させて、セットされているシリコンブロックSを例えば10秒間程度研削する。この研削によって、目詰りが除去されると共に、現れる新しい微粒ダイヤモンドに馴染みを与えることができるので、そのまま第1回転テーブル12へ戻して、砒化ガリウム基板Wcの裏面研削を再開する。

請求項（抜粋）：

半導体素子が作り込まれた半導体基板を研削刃で裏面研削して薄板化させる裏面研削方法において、比較的低硬度の複数枚の半導体基板を裏面研削して前記研削刃に目詰りを生じた時、目詰りした前記研削刃によって比較的高硬度の材料を研削して前記目詰りを除去した後、前記研削刃によって前記比較的低硬度の半導体基板の裏面研削を再開することを特徴とする裏面研削方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 49/12 ,  B24B 53/02

FI (4件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 M ,  B24B 49/12 ,  B24B 53/02

Fターム (6件)：

3C034AA13 ,  3C034BB93 ,  3C034CA05 ,  3C034CA22 ,  3C034DD20 ,  3C047BB01