特許
J-GLOBAL ID:200903043909790049
多層配線の形成方法、多層配線基板、デバイス、デバイスの製造方法及び電子機器
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邊 隆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-119446
公開番号(公開出願番号):特開2003-318542
出願日: 2002年04月22日
公開日(公表日): 2003年11月07日
要約:
【要約】【課題】 配線密度の高い多層配線基板を比較的に容易に形成することを可能とする多層配線の形成方法、多層配線基板、デバイス、デバイスの製造方法及び電子機器を提供する。【解決手段】 ポリイミドフィルム10に液滴吐出方式で銀ライン20を設け、ポリイミドフィルム10の一方面から他方面に導通するスルーホール31を設け、上記と同様にして、別のポリイミドフィルム10に液滴吐出方式で銀ライン(第2導電パターン)20を設け、該ポリイミドフィルム10の一方面から他方面に導通するスルーホール(第2スルーホール)を設け、各層の銀ライン20がスルーホール31を介して導通するように、各ポリイミドフィルム10を接着する工程を有する。
請求項(抜粋):
第1絶縁フィルムに液滴吐出方式で第1導電パターンを設け、該第1絶縁フィルムの一方面から他方面に導通する第1スルーホールを設け、第2絶縁フィルムに液滴吐出方式で第2導電パターンを設け、該第2絶縁フィルムの一方面から他方面に導通する第2スルーホールを設け、前記第1導電配線の少なくとも一部と前記第2導電配線の少なくとも一部とが前記第1スルーホール又は第2スルーホールを介して導通するように、前記第1絶縁フィルムと前記第2絶縁フィルムとを接着する工程を有することを特徴とする多層配線の形成方法。
FI (2件):
H05K 3/46 L
, H05K 3/46 N
Fターム (10件):
5E346AA22
, 5E346AA42
, 5E346AA43
, 5E346BB16
, 5E346CC10
, 5E346CC39
, 5E346DD13
, 5E346EE42
, 5E346FF18
, 5E346GG15
前のページに戻る