結晶性炭化ケイ素膜の成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148917
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147251
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】ケイ素又は炭化ケイ素の基材上に結晶性炭化ケイ素膜を形成する方法を提供する。【構成】本発明の方法は、トリメチルシランガスの存在下に基材を600 °Cより高い温度に加熱する化学気相成長法を含むものである。

請求項（抜粋）：

ケイ素と炭化ケイ素から選ばれた基材上にエピタキシャル炭化ケイ素膜を成長させる方法であって、基材を 600〜1000°Cの範囲の温度に加熱すること、そしてこの加熱した基材を、エピタキシャル炭化ケイ素膜を成長させるのに十分な時間トリメチルシランを含むガスに暴露すること、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

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