特許

J-GLOBAL ID：200903043917335431

酸化物超電導体材料の製造方法

発明者： 竹林 聖記 ,  田中 將元 ,  橋本 操
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267492
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133726
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】【目的】 結晶への211相の取込濃度を高濃度とすることができ、該結晶材料を大型化させることのできるREBa2 Cu3 O7-d 系酸化物超電導体材料の製造方法を提供する。【構成】 本発明の酸化物超電導体材料の製造方法は、種結晶法を利用した溶融成長法によるREBa2 Cu3 O7-d 系(REは、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素)酸化物超電導体材料の製造方法において、RE2 BaCuO5 相の仕込濃度が種結晶を設置する内側から外側に立体的に減少するように構成された前駆体を用いてなることを特徴とする。【効果】 臨界電流密度が材料中で均一となって局所的なばらつきがなくなるという効果がある。

請求項（抜粋）：

種結晶法を利用した溶融成長法によるREBa2 Cu3 O7-d 系(REは、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた1種以上の元素)酸化物超電導体材料の製造方法において、RE2 BaCuO5 相の仕込濃度が種結晶を設置する内側から外側に立体的に減少するように構成された前駆体を用いてなることを特徴とする酸化物超電導体材料の製造方法。

IPC (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  C30B 29/22 501