特許
J-GLOBAL ID：200903043917902328
ニオブ酸リチウム単結晶膜およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-130128
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294799
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 良質のストイキオメトリー組成ニオブ酸リチウム単結晶膜を提供する。【構成】 従来のコングルエント組成ニオブ酸リチウム単結晶基板と、目的とするストイキオメトリー組成ニオブ酸リチウム単結晶膜との間に格子定数の急激な変化を緩和する単結晶遷移層を成長させて、応力歪を抑えることにより、割れのないストイキオメトリー組成ニオブ酸リチウム単結晶膜が得られる。
請求項（抜粋）：
コングルエント組成のニオブ酸リチウム単結晶基板上へのニオブ酸リチウム単結晶膜のエピタキシャル成長において、コングルエント組成のニオブ酸リチウム単結晶基板と所望の単結晶膜の格子定数が異なる場合、該単結晶基板と所望の単結晶膜との間に、該単結晶基板との格子定数差が0.002オングストローム以下である単結晶から所望単結晶との格子定数差が0.002オングストローム以下である単結晶へと、連続的に格子定数が変化するエピタキシャル成長単結晶遷移層を設けることを特徴とするエピタキシャル成長ニオブ酸リチウム単結晶膜。
IPC (5件)：
C30B 29/30
, C30B 19/00
, C30B 19/12
, G02B 6/12
, G02B 6/10
