特許

J-GLOBAL ID：200903043921629806

直流高電圧発生装置及び撮像システム

発明者： 松浦 康治
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105045
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299987
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】簡単な回路構成によって任意の正負直流高電圧を発生させることができ、小型化、省電力化を達成することができる直流高電圧発生装置を提供する。【解決手段】ダイオードとコンデンサとを組み合わせてなる従来のコッククロフト・ウォルトン型昇圧回路の構成要素のうち、ダイオードの部分を1個または2個のエンハンストメント型FET11〜42に置換し、CPU50から出力する制御信号により前記FET11〜42をON/OFF制御する構造とする。1つのダイオード部分を2個のエンハンストメント型FETで置換する場合は各FETの寄生ダイオードのアノード側どうしを向き合わせて対称回路を構成するようにFETを配置する。コンデンサC31〜C34には無極性コンデンサを使用する。シェンケル型回路についても同様に適用可能である。かかる直流高電圧発生装置を撮像システムに適用し、マイコン制御でLCD表示及びCCD駆動させる。

請求項（抜粋）：

ダイオードとコンデンサを組み合わせてなるコッククロフト・ウォルトン型回路の構成のうち少なくとも一つのダイオード部分を1個または2個のエンハンストメント型FETに置換した回路構造を有するとともに、前記FETのゲートを制御する制御手段を有し、前記制御手段による前記FETのON/OFF制御に応じて前記FETの寄生ダイオードが利用されることによりコッククロフト・ウォルトン型回路が形成されることを特徴とする直流高電圧発生装置。

IPC (3件)：

H02M 7/12 ,  H02M 7/25 ,  H04N 5/225

FI (3件)：

H02M 7/12 X ,  H02M 7/25 ,  H04N 5/225 F

Fターム (16件)：

5C022AA00 ,  5C022AB40 ,  5C022AC03 ,  5C022AC31 ,  5C022AC42 ,  5C022AC73 ,  5H006CA02 ,  5H006CA07 ,  5H006CA12 ,  5H006CA13 ,  5H006CB04 ,  5H006CB07 ,  5H006CC02 ,  5H006CC08 ,  5H006DA04 ,  5H006DB07