特許
J-GLOBAL ID：200903043926883484
SAWデバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257974
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085964
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 真空蒸着法によって厚肉パッドを形成した圧電素板を一旦真空炉外へ出してから、別の真空炉内にセットしてスパッタ蒸着法によってIDT電極を形成する場合に、外気に触れた時に厚肉パッド表面に形成される酸化膜が厚肉パッドとIDT電極の接続端部との導通を阻害する要因となり、当該弾性表面波素子を用いて完成されたSAWデバイスの特性を低下させるという不具合を有効に防止することができるSAWデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 弾性表面波素子4をフェイスダウン状態で収納し、且つ内底面の各電極33と各電極パッド36とを金バンプ37を介して接続した構成を備えた絶縁パッケージ31と、該絶縁パッケージの開口を気密封止する金属蓋38と、を備えたSAWデバイスの製造方法において、電極パッドの表面に形成された酸化膜45を介してIDT電極の接続端部が積層接続されている場合に、SAWデバイスを所要温度にて加熱することにより酸化膜による導通阻害を排除する。
請求項（抜粋）：
圧電素板と、該圧電素板面に形成されたIDT電極と、圧電素板面に形成され且つ金バンプとの接合性が良好な金属から成る厚肉の電極パッドと、を有し、IDT電極から延びた接続端部が電極パッド上に積層状態で接続された弾性表面波素子と、該弾性表面波素子をフェイスダウン状態で収納し、且つ内底面の各電極と各電極パッドとを上記金バンプを介して接続した構成を備えた絶縁パッケージと、該絶縁パッケージの開口を気密封止する金属蓋と、を備えたSAWデバイスの製造方法において、上記電極パッドの表面に形成された酸化膜を介してIDT電極の接続端部が積層接続されている場合に、上記SAWデバイスを所要温度にて加熱することにより上記酸化膜による導通阻害を排除することを特徴とするSAWデバイスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5J097AA28
, 5J097AA29
, 5J097HA02
, 5J097HA04
, 5J097HA09
, 5J097JJ09
, 5J097KK04
, 5J097KK09
, 5J097KK10
