特許
J-GLOBAL ID：200903043928778262
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-068347
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260582
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 高周波回路を有する半導体基板を小型化する際に不要輻射を遮蔽できるようにする。【解決手段】 表面部接地配線層15及び内部接地配線層16を有する絶縁性基板14上に、高周波回路がそれぞれ形成された第1のMMIC基板11と第2のMMIC基板12とがそれぞれバンプ18を介して実装されている。第1のMMIC基板11及び第2のMMIC基板12の各裏面には裏面グランド金属膜13がそれぞれ形成されており、各裏面グランド金属膜13は絶縁性基板14の内部接地配線層16にそれぞれ電気的に接続されている。また、内部接地配線層16は第1のMMIC基板11及び第2のMMIC基板12が実装される領域全体にわたって配置されている。
請求項（抜粋）：
表面部又は内部に接地配線層を有する絶縁性基板と、一面に設けられたバンプを介して前記絶縁性基板に実装され、高周波回路を有する半導体基板と、該半導体基板の他面に形成されている導電性膜とを備え、前記導電性膜は前記絶縁性基板の接地配線層に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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