特許

J-GLOBAL ID：200903043931843385

半導体発光素子及び半導体発光装置

発明者： 幡 俊雄 ,  山本 健作 ,  筆田 麻祐子 ,  辰巳 正毅
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-278983
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086843
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 従来発光素子では、電極が形成された上面と基板裏面で発生光の多重反射が生じ、発光素子から外部へ光がなかなか放出されず、さらにP型電極またはN型電極で吸収され光出力が低減されるという問題が生じる。【解決手段】 透光性基板上に窒化物系積層体を形成し、その積層体にP型パッド電極、N型パッド電極及びP型電極が所望の反射率を有し、前記透光性基板とその上に積層された窒化物系積層体の厚さが60μmから460μmから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

透光性基板上に、n型半導体層、発光層、p型半導体層、p型電極がこの順に形成され、基板側をマウントする半導体発光素子において、p型電極の反射率が55〜100%であることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N

Fターム (7件)：

5F041AA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18