特許

J-GLOBAL ID：200903043931997005

薄膜EL素子の誘電体層

発明者： 楡 孝 ,  松野 明 ,  淵脇 浩二
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 橋爪 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-028573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-223974
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 高温において安定性があり、絶縁破壊モードが自己回復型で、誘電率、絶縁耐圧がともに高く、かつ生産性の良い薄膜EL素子の誘電体層を提供する。【構成】 薄膜EL素子の誘電体層の形成に当たり、Si,Si3 N4 ,SiO2 ,SiOx Ny のいずれかをターゲットに用い、Ar、酸素、窒素をスパッタガスとする反応性スパッタ法によってSiOx Ny を成膜する。そして、前記SiOx Ny における窒素と酸素との原子比y/xが0.02〜1.5となるように制御することにより、Qmax が高く、絶縁破壊モードが自己回復型の誘電体層を得ることができる。この誘電体層は膜内に水素を含まないので高温における安定性が高く、薄膜EL素子や薄膜EL素子パネルの第1、第2誘電体層のどちらに対しても成膜可能である。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に第1の電極、第1の誘電体層、発光層、第2の誘電体層、第2の電極を順次積層してなる薄膜EL素子において、前記誘電体層がSi,Si3 N4 ,SiO2 ,SiOx Ny のいずれかをターゲットに用い、Ar、酸素、窒素をスパッタガスとする反応性スパッタ法によって成膜したSiOx Ny からなることを特徴とする薄膜EL素子の誘電体層。

IPC (3件)：

H05B 33/22 ,  C23C 14/16 ,  C23C 14/34