特許
J-GLOBAL ID：200903043933175410
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053613
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268254
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 発光素子を含めて各種の素子や回路等を集積、一体化することを可能にすると共に、光結合等を行う場合の効率を高めること等を可能にした、高効率で安価な半導体装置を提供する。【構成】 シリコン結晶基板2上に酸化絶縁層3を介して素子シリコン層4を設けた、いわゆるSOI基板1を構成基板として用いる。素子シリコン層4に、多孔質シリコン、ポリシラン、シロキセン等を用いたシリコン発光素子11を設け、さらに必要に応じて、シリコン受光素子12を含む他の素子や回路等を集積形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁層を介して表面側にシリコン層が設けられたシリコン結晶基板を構成基板として具備し、前記シリコン層に少なくともシリコン発光素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 27/12
, H01L 31/12
