特許

J-GLOBAL ID：200903043937883060

絶縁体膜の形成方法、及び、キャパシタ部材の製造方法

発明者： 細田 恵三
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230405
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059921
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 工程を簡素化して生産性を向上できると共に、厚膜の絶縁体膜を形成する際にも生産性の低下を防止できる絶縁体の形成方法を提供する。【解決手段】 下部電極層200及びバリア層201が形成されたウェハW上にMO-CVD法によってTa酸化膜から成る金属酸化膜202を成膜する。次に、このウェハW上に、略大気圧下で水蒸気を供給しつつ、ランプ加熱によって650°C以下で急速加熱を実施し、酸化・改質された金属酸化膜204を形成する。引き続き同一チャンバ内において、そのウェハWを700°C以上でアニールし、結晶化が図られた金属酸化膜206を形成する。更に、上部電極層207を形成し、誘電体層20を有するキャパシタ部材を得る。

請求項（抜粋）：

基体上に金属酸化物を含む絶縁体膜を形成せしめる方法であって、前記基体上に金属原子を含む第1の膜を形成する第1の工程と、前記第1の膜を有する基体上に水蒸気(H2O)を含むガスを供給しつつ、該基体を加熱して該第1の膜を第2の膜へと改質する第2の工程と、前記第2の膜を有する基体上に酸素(O2)ガスを供給しつつ、該基体を加熱して該第2の膜を第3の膜へと改質する第3の工程と、を備える絶縁体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 27/04 C

Fターム (13件)：

5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02