特許
J-GLOBAL ID：200903043939235899
昇圧回路及び昇圧回路を備えた不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354151
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111095
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：
【要約】【目的】 出力電位が低い間の電力効率を上げることができ、昇圧電位立上がり時間を短縮することのできる昇圧回路を提供すること。【構成】 入力電位を所定の電位まで昇圧する昇圧回路において、キャパシタ及びスイッチング素子からなる複数個の昇圧セル10と、これらの昇圧セル10の接続状態を切換える接続切換え回路30とを設け、接続切換え回路30により、昇圧セル10を1個又は複数個直列に接続して構成する昇圧セル群20を出力に対して並列に接続し、かつ昇圧セル群20内の昇圧セル10の数と昇圧セル群20の数を可変することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
入力電位を昇圧して出力する複数個の昇圧セルと、これらの昇圧セルの接続状態を切換える接続切換え回路とを具備し、前記接続切換え回路は、昇圧セルを1個又は複数個直列に接続して構成する昇圧セル群を出力に対して並列に接続し、かつ昇圧セル群内の昇圧セルの数と昇圧セル群の数を可変するものであることを特徴とする昇圧回路。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G05F 1/00
, H02M 3/07
