MOS型半導体装置の入力保護回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085249
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】静電気放電ストレスなどの外部からのストレスによるMOS型半導体装置の入力ゲートや内部回路の破壊を防止し、より信頼性の高いMOS型半導体装置の入力保護回路を提供する。【構成】入力端子にコレクタが接続されたダーリントン接続の第1と第2のトランジスタと、一端が入力パッドに、他端がMOS型半導体装置の入力ゲートに接続される抵抗素子とを設け必要に応じて、ゲート接地トランジスタをこの抵抗素子の他端に接続したMOS型半導体装置の入力保護回路。

請求項（抜粋）：

入力端子にそのコレクタが接続される第1のトランジスタと、ベースが上記第1のトランジスタのエミッタに、コレクタが上記入力端子に、およびエミッタが基準電位にそれぞれ接続される第2のトランジスタと、一端が上記入力端子に、他端がMOS型半導体装置のゲートに接続される抵抗素子とを備えたことを特徴とするMOS型半導体装置の入力保護回路。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 27/04 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/78 301 K , H01L 27/06 311 C

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