特許

J-GLOBAL ID：200903043946633344

結晶成長方法およびその結晶体

発明者： ユー ビュン デオク ,  杉野 修
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264782
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】 ダイアモンド等のエピタキシャル成長法において、高濃度のドーピングを結晶欠損無しで安定に行い得るようにする。【解決手段】 ダイアモンド結晶2表面に、サーファクタント源gS からAlを放射させて、サーファクタント原子層3を形成する(a)。カーボン源gC からは炭化水素を降らせてカーボンとサーファクタント原子であるAlとの置換を行わせてダイアモンド結晶を成長させる(b)。目的のドーピング量に応じた量のNをドーパント源gD から照射し、サーファクタント原子層3を構成するAlの一部をコドーパント複合体4(N-Al-N)に変化する(c)。この状態で、炭素原子を降らせると、サーファクタント原子層3の原子は炭素原子との置換によりは表面に残りコドーパント複合体4のみが結晶2に取り込まれる。このようにして、ダイアモンド結晶内にn型のドーパントを添加することができる。

請求項（抜粋）：

結晶の表面に第1の原子で構成される表面触媒層(surfactant)が吸着した状態で、上記表面触媒層上に成長母体結晶を構成する原子と前記成長母体結晶内の不純物となる第2の原子とを供給し、不純物を含有する結晶をエピタキシャル成長させる不純物含有層形成工程を含むことを特徴とする結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/04 R ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Fターム (35件)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DA05 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077EB02 ,  4G077SC02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TC12 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA66 ,  5F045EE15 ,  5F103AA04 ,  5F103BB59 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK03 ,  5F103KK10 ,  5F103NN01 ,  5F103RR06