半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044134
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242259
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】半導体基板内に結晶欠陥を発生されることなく、高密度化に適したトレンチ素子分離構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の所定の領域にトレンチ素子分離を有する半導体装置において、その内壁が第1の絶縁膜で覆われた前記トレンチ内に第2の絶縁膜と第3の絶縁膜とがこの順に積層して埋込まれている。あるいは、一導電型の半導体基板の所定の領域にトレンチ素子分離を有する半導体装置において、その内壁が第1の絶縁膜で覆われた前記トレンチ内に第2の絶縁膜が埋込まれ、前記トレンチの上部領域の側壁のシリコン基板に逆導電型の拡散層が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所定の領域にトレンチ素子分離領域を有する半導体装置において、その内壁が第1の絶縁膜で覆われた前記トレンチ内に第2の絶縁膜と第3の絶縁膜とがこの順に積層して埋込まれていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-190847
特開昭58-009333

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