特許

J-GLOBAL ID：200903043950159240

基板処理装置

発明者： 長谷川 公二
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086373
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274222
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板を処理液から引き上げるに際して、基板保持用ガイドと基板との接触領域に残留する処理液を減少させることが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】 処理槽61内の処理液Lに浸漬された基板Wを当該処理液Lから引き上げるにあたって、基板ガイド(第1の基板保持用ガイド)62a〜62dと基板Wとの接触領域R1が気液界面Fを通過する際には、補助ガイド(第2の基板保持用ガイド)63a〜63dによる基板保持状態に移行することにより基板ガイドと基板との接触状態を解除し、また、補助ガイドと基板Wとの接触領域R2が気液界面Fを通過する際には、基板ガイドによる基板保持状態に移行することにより補助ガイドと基板との接触状態を解除する。したがって、各接触領域R1,R2の気液界面F通過時において、各基板保持用ガイドは、基板Wに対して接触していない状態とすることができる。

請求項（抜粋）：

基板を処理液に浸漬して処理する基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を前記処理槽に対して昇降させることにより前記基板の浸漬状態と非浸漬状態とを切り替えることが可能な昇降手段と、を備え、前記基板保持手段は、互いに独立に基板を保持することが可能な第1の基板保持用ガイドと第2の基板保持用ガイドとを有しており、前記第1の基板保持用ガイドと前記第2の基板保持用ガイドとの相互間の高さ方向の相対位置を変更することにより、前記第1の基板保持用ガイドが前記第1の接触領域において基板に接触することにより前記基板を保持する状態と、前記第2の基板保持用ガイドが前記第1の接触領域よりも低い位置の第2の接触領域において基板に接触することにより前記基板を保持する状態とを切り換えることが可能であり、前記処理液に浸漬された基板を前記昇降手段を用いて当該処理液から引き上げるにあたって、前記基板の前記第1の接触領域が気液界面を通過する際には、前記第2の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行することによって前記第1の基板保持用ガイドと前記基板との接触状態を解除し、前記基板の前記第2の接触領域が気液界面を通過する際には、前記第1の基板保持用ガイドによる基板保持状態に移行することによって前記第2の基板保持用ガイドと前記基板との接触状態を解除することを特徴とする基板処理装置。

IPC (9件)：

H01L 21/68 ,  B65G 49/04 ,  B65G 49/06 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  G03F 7/42

FI (10件)：

H01L 21/68 D ,  H01L 21/68 A ,  B65G 49/04 J ,  B65G 49/06 A ,  B65G 49/07 C ,  H01L 21/304 648 B ,  H01L 21/304 651 G ,  H01L 21/304 651 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (21件)：

2H096AA25 ,  2H096LA13 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031FA01 ,  5F031FA02 ,  5F031FA09 ,  5F031FA12 ,  5F031FA18 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031GA49 ,  5F031GA50 ,  5F031HA73 ,  5F031HA74 ,  5F031MA03 ,  5F031MA23 ,  5F031MA24 ,  5F046CD01 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウエハ洗浄・乾燥装置及びウエハの洗浄・乾燥方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-201804   出願人：ソニー株式会社