特許

J-GLOBAL ID：200903043969779184

アルミナ膜の成膜方法

発明者： 松浦 克好 ,  川浦 廣
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社シー・ヴィ・リサーチ
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255723
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095900
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】低温処理による成膜および安全な成膜を可能にするアルミナ膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】本発明によるアルミナ膜の成膜方法は、プラズマCVDを行うための反応炉に成膜対象物を導入し、所定の温度に加熱する昇温工程と、低出力のプラズマ電力条件の下に、アルミニウム・アルコキシドより成るアルミナ原料と酸素とを前記反応炉に導入する堆積工程と、高出力のプラズマ電力条件の下に、前記反応炉に前記アルミナ原料を導入することなしに、酸素を導入する酸化工程より成る。前記堆積工程および前記酸化工程を複数回繰り返すことによって、所定の厚さのアルミナ膜が前記成膜対象物に形成される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

プラズマCVDを行うための反応炉に成膜対象物を導入し、所定の温度に加熱する昇温工程と、 低出力のプラズマ電力条件の下に、アルミニウム・アルコキシドより成るアルミナ原料と酸素とを前記反応炉に導入する堆積工程と、 高出力のプラズマ電力条件の下に、前記反応炉に前記アルミナ原料を導入することなしに、酸素を導入する酸化工程 より成り、前記堆積工程および前記酸化工程を複数回繰り返すことによって、所定の厚さのアルミナ膜が前記成膜対象物に形成されることを特徴とするアルミナ膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  C23C16/40

FI (2件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/40

Fターム (17件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01