パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164583
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012950
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】アニールに適した充分大きなパルス幅のレーザ光の発振を行なう。【解決手段】気密容器内に相対向して設けられた一組の主放電電極対10と、この主放電電極対10に対して配置された予備電離電極対9 と、上記主放電電極対10間に主放電を発生させるための電力を供給する高電圧電源1 、この高電圧電源1 と接続された第1のコンデンサ4 、上記主放電電極対10に並列接続されたn段(n:2以上の整数)構成の第2のコンデンサ7a〜7c、及び高電圧スイッチング素子3 からなる高電圧電源回路とを有する。

請求項（抜粋）：

励起ガスを封入する容器と、この容器内に相対向して設けられた一対の主放電電極と、これら主放電電極に対して配置された複数対の予備電離電極と、これら予備電離電極間に供給する電力を充放電する主コンデンサを備えた充放電回路と、この充放電回路に電力を供給する電源と、上記主コンデンサからの電力を蓄電する上記一対の主放電電極に並列に接続されたピーキングコンデンサと、このピーキングコンデンサに直列に接続されたリアクトルと、上記主放電電極で発生した光を増幅する光共振器とを具備するパルスガスレーザ発振装置において、上記ピークングコンデンサは、それぞれ異なるインダクタンス値を持つ上記リアクトルを介して主放電電極に対して並列に複数段が接続された構成をとることを特徴とするパルスガスレーザ発振装置。

IPC (7件)：

H01S 3/097 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/0975 , H01S 3/0977

FI (8件)：

H01S 3/097 A , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G , H01S 3/097 D , H01S 3/097 E , H01S 3/097 Z

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