特許
J-GLOBAL ID:200903043978994713

不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 哲也 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-055926
公開番号(公開出願番号):特開2000-251499
出願日: 1999年03月03日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 ビット線の断線の有無の検査が可能となる不揮発性メモリの提供と、その不揮発性メモリのビット線の断線の有無の検査を確実に実現すること。【解決手段】 不揮発性メモリ10は、メモリセル・アレイ1の各ビット線2の各一端と接続される複数のフリップ・フロップからなる第1レジスタ11の他に、各ビット線2の各他端と接続される複数のフリップ・フロップからなり、各ビット線2の断線検査用の第2レジスタ12を備えている。検査装置20は、不揮発性メモリ10の第1レジスタ11に検査用データを書き込んだのち、その検査用データを各ビット線2を介して第2レジスタ12に転送させ、第2レジスタ12のデータ読み出し、この読み出したデータを第1レジスタ11に書き込んだデータと比較し、各ビット線2の断線の有無を判定する。
請求項(抜粋):
メモリセル・アレイと、このメモリセル・アレイの各ビット線の各一端と接続される複数の単位記憶素子からなる第1レジスタとを、少なくとも備えた不揮発性メモリにおいて、前記各ビット線の各他端と接続される複数の単位記憶素子からなり、各ビット線の断線検査用の第2レジスタを備えたことを特徴とする不揮発性メモリ。
IPC (5件):
G11C 29/00 673 ,  G01R 31/28 ,  G06F 11/22 310 ,  G06F 12/16 330 ,  G11C 17/00
FI (5件):
G11C 29/00 673 Z ,  G06F 11/22 310 M ,  G06F 12/16 330 A ,  G11C 17/00 D ,  G01R 31/28 B
Fターム (17件):
2G032AA04 ,  2G032AA08 ,  2G032AD08 ,  5B003AE04 ,  5B018GA03 ,  5B018NA06 ,  5B018QA13 ,  5B048AA19 ,  5B048CC02 ,  5B048DD10 ,  5B048EE07 ,  5L106AA10 ,  5L106EE02 ,  9A001BB03 ,  9A001HH34 ,  9A001KK54 ,  9A001LL05
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-153183
  • 特開昭59-153183

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